作者: 来源: 发表时间:2012-01-09 03:47 
转接卡：1.85玉兔处事端。简朴的说，就是在主板上原来不能用的，经过进程转接卡转换为可以或许行使。但转换卡与主板的内部电气特征应一样，改变个别辨认信号脚。有些还提供频次调解和电压调解。譬喻：Solt 1转换Socker 370的转涌ā?br>
向下兼容：就是在原本CPU长举办开拓新型CPU，在此基本上增进了新的指令，没有改变原有CPU内部根本指令代码集，可以或许不做任何改观的继承运转基于旧式CPU的软件。
4内存术语
Quote:
lot:比特，内存中最小单元，也叫"位"。它只有两个形态别离以0和1暗示。
byte:字节，8个持续的比特叫做一个字节。
ns（nanosecond）：纳秒，是一秒的10亿分之一。内存读写速率的单元，厥后头数字越小暗示速率越快。
SIMM（Single In-line Memory Modules）:单边打仗内存模组。是5X86及其较早的PC中常回收的内存接口方法。在486早年，多回收30针的SIMM接口，而在Pentuim中更多的是72针的SIMM接口，可能与DIMM接口范例并存。人们凡是把
72线的SIMM范例内存模组间接称为72线内存。
DIMM（Duing In-line Memory Modules）:双边打仗内存模组。也就是嗣魅这种范例接口内存的插板双方都罕有据接口触片，这种接口模式的内存凡是应用于此刻的计较机中，凡是为84针，因为是双边的，以是共有84×2=168线打仗，以是人们常把这种内存称为168线内存。
DRAM（Dyni'mic RAM）:静态随机存储器。必要用恒电流以留存讯息，想知道1.85神龙合击处事端。一断电，讯息即损失。其接口多为72线的SIMM范例。当然它的革新频次每秒钟可达几百次，可是因为它回收统一电路来存取数据，以是存取时刻有肯定的间隔，导致了它的存取速率不是很快。在386、486时期被广泛应用。
FPM DRAM（Fgiven thtowardst Pperiod Mode RAM）:火速页面模式内存。是一种在486时期被广泛应用的内存。72线、5V电压、带宽32lot、根本速率60ns以上。它的读取周期是从DRAM阵列中某一行的触发开始，然后移至内存地点所指光荣，即蕴涵所必要的数据。第一条讯息必需被表白有效后存至体系，手法为下一个周期作好筹备。这样就引入了"等待形态"，由于CPU必需傻傻的等待内存完成一个周期。跟着职能/价钱比更高的EDO DRAM的呈现和应用，它只好筹备逐步插手市场。
EDO DRAM（Extended Dtowardsa Output RAM）:扩展数据输入内存。是Micron公司的专利技能。有72线和168线之分、5V电压、带宽32lot、根本速率40ns以上。传统的DRAM和FPM DRAM在存取每一lot数据时必需输入行地点和列地点并使其不变一段时刻后，然后手法读写有效的数据，而下一个lot的地点必需等待这次读写操纵完本钱领输入。EDO DRAM不必等待资料的读写操纵是否完成，只消规定的有效时刻一到就可以或许筹备输入下一个地点，由此紧缩了存取时刻，服从比FPM DRAM高20%-30%。具有较高的性/价比，由于它的存取速率比FPM DRAM快15%，而价钱才跨越5%。于是乎，成为中、高等Pentium级别主板的轨范内存。
SDRAM（Synchronous Burst RAM）:同步突发内存。是168线、3.3V电压、带宽64lot、速率可达6ns。是双存储体布局，也就是有两个积累阵列，一个被CPU读取数据的时辰，另一个已经做好被读取数据的筹备，两者彼此主动切换，使得存取服从成倍进步。而且将RAM与CPU以沟通时钟频次阁下，使RAM与CPU外频同步，打消等待时刻，以是其传输速度比EDO DRAM快了13%。SDRAM回收了多体（Bank）存储器布局和突发模式，能传输一整数据而不是一段数据。
SDRAM II:二倍数据速率. . .也叫DDR（Double Dtowardsa Rdined）RAM。它的速率比SDRAM进步一倍，其主题成立在SDRAM的基本上，但在速率和容量上有了进步。比拟SDRAM，它行使了更多、更前进先进的同步电路。并且回收了DLL（Delay Locked
Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号（DtowardsaStroprove signing）。当数据有效时，存储阁下器可行使这个数据滤波信号来准确定位数据，每16次输入一次。DDR素质上不必要进步时钟频次就能更加进步SDRAM的速率，它应承在时钟脉冲的上升沿和降落沿读出数据，于是乎，它的速率是轨范SDRAM的两倍。
5 硬盘术语
Quote:
硬盘：英文"hard-disk"简称HD 。是一种积累量庞大的装备，浸染是积累计较机运转时必要的数据。计较机的硬盘首要由碟片、磁头、磁头臂、磁头臂供职定位体系和底层电路板、数据保护体系以及接口等构成。 计较机硬盘的技能方针首要环绕在盘片巨细、盘片几多、单碟容量、磁盘转速、磁头技能、供职定位体系、接口、二级缓存、乐音和S.M.A.R.T. 等参数上。
碟片：硬盘的所罕有据都存储在碟片上，碟片是由硬质合金构成的盘片，此刻还呈现了玻璃盘片。今朝的硬盘产物内部盘片巨细有：5.25，3.5，2.5和1.8英寸（后两种常用于条记本及范围袖珍慎密仪器中，此刻台式机中常用3.5英寸的盘片）。
磁头：硬盘的磁头是用线圈缠绕在磁芯上制成的，最初的磁头是读写合一的，经过进程电流变革去感到信号的幅度。看待大多半计较机来说，在与硬盘相易数据的进程中，读操纵远远快于写操纵，并且读/写是两种差异特征的操纵，这样就促使硬盘厂商开拓一种读/写疏散磁头。在1991年，IBM提出了它基于磁阻（MR）技能的读磁头技能――各项同性磁 . . .磁头在和旋转的碟片相打仗进程中，经过进程感到碟片上磁场的变革来读取数据。在硬盘中，碟片的单碟容量和磁头技能是彼此制约、彼此促使的。
AMR（Anisotropic Magneto Resistive，AMR）：一种磁头技能，AMR技能可以或许支持3.3GB/平方英寸的记录密度，在1997年AMR是那时市场的支流技能。
GMR（Giish Magneto Resistive，巨磁阻）：比AMR技能磁头迅速度高2倍以上，GMR磁头是由4层导电资料和磁性资料薄膜构成的：一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个相易层。前3个层阁下着磁头的电阻。在栓层中，磁场强度是固定的. . .而且磁场偏向被相临的相易层所维系。并且自在层的磁场强度和偏向则是跟着转到磁头下面的磁盘外观的眇小磁化区所改变的，这种磁场强度和偏向的变革导致彰着的磁头电阻变革，在一个固定的信号电压下面，就可以或许拾取供硬盘电路处分的信号。
